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一种含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料及其制备方法

  • 申请号:CN201110251661.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN102285817A
  • 公开(公开)日:2011.12.21
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料及其制备方法
申请号 CN201110251661.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102285817A 公开(授权)日 2011.12.21
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 张劲松;高勇;杨振明;徐兴祥;张军旗;曹小明
主分类号 C04B38/06(2006.01)I IPC主分类号 C04B38/06(2006.01)I;C04B35/515(2006.01)I;C22C1/08(2006.01)I;C22C29/00(2006.01)I
专利有效期 一种含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料及其制备方法 至一种含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及泡沫材料领域,具体地说是一种含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料及其制备方法,解决现有传统泡沫陶瓷材料导电性差、力学性能差等问题。所述含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料具有三维连通网络结构,相组成主要由Ti3SiC2及其它Ti、Si、C的二元或三元化合物构成。所述制备方法为:将剪裁后的泡沫塑料浸入由原料粉、树脂、无水乙醇混合制成的浆料中,取出后除去多余浆料,经半固化-高温固化-热解,得到与原始泡沫形状一致,由原料粉与热解碳组成的泡沫状骨架。上述泡沫骨架经高频感应加热反应烧结,最终制得含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料。本发明工艺简单,无需复杂设备。所制备的复合泡沫材料致密度和抗压强度较高,具有良好的导电性。

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