专利详情

专利名称	剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料
申请号	CN02160742.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1424754	公开（授权）日	2003.06.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	董业民;陈猛;王曦;王湘;陈静;林梓鑫
主分类号	H01L21/84	IPC主分类号	H01L21/84
专利有效期	剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料至剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料	法律状态	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
说明书摘要	本发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火，其特征在于(1)离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入；(2)离子注入时的能量范围是50～200 keV，相应的剂量范围是2.0×10¹⁷～7.0×10¹⁷cm^－2，注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D(10¹⁷cm^－2)＝(0.035±0.005)×E(keV)；(3)离子注入后的高温退火的温度为1200～1375℃，退火的时间为1～24个小时，退火的气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0.5％～20％。采用本发明提供的方法所制备的图形化SOI材料具有平整度高，缺陷密度低，过渡区小等优点，适合于制造集成体硅和SOI电路的系统芯片。