专利详情

专利名称	单片集成的直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法
申请号	CN02151296.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1415968	公开（授权）日	2003.05.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;黄树森;王跃林
主分类号	G01P15/12	IPC主分类号	G01P15/12
专利有效期	单片集成的直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法至单片集成的直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种单片集成直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法。其特征在于：二个直拉直压微梁对称地位于弯曲主悬臂梁的两边，使得微梁只有X方向的直拉直压变形，微梁的自由端与质量块相连；硼扩散的微梁本身作为压阻敏感电阻；硅框架、悬臂梁、可动质量块、微梁以及过保护机构构成的传感器为单片硅形成的整体式结构；悬臂梁、微梁和过载保护结构的制作是同时完成；其中直拉微梁在SOI 材料的上层硅上制作，弯曲悬臂梁的质量块等在下层硅衬底上制作，并有中间的氧化层形成电阻与结构间的电绝缘。本发明适合各种量程(1～1.6×10⁵g)，具有高灵度、高带宽的特点。