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复合电介质材料及其制备方法

  • 申请号:CN201010178458.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
  • 公开(公开)号:CN102241844A
  • 公开(公开)日:2011.11.16
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 复合电介质材料及其制备方法
申请号 CN201010178458.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102241844A 公开(授权)日 2011.11.16
申请(专利权)人 中国科学院深圳先进技术研究院 发明(设计)人 于淑会;孙蓉;罗遂斌;赵涛;杜如虚
主分类号 C08L21/00(2006.01)I IPC主分类号 C08L21/00(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L67/00(2006.01)I;C08L69/00(2006.01)I;C08L81/02(2006.01)I;C08L23/12(2006.01)I;C08L27/16(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08K9/10(2006.01)I;C08K3/08(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I
专利有效期 复合电介质材料及其制备方法 至复合电介质材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种复合电介质材料,包括有机聚合物和Cu@SiO2核壳微粒,Cu@SiO2核壳微粒包括壳层SiO2微粒和位于核的Cu纳米微粒,Cu@SiO2核壳微粒均匀分散于有机聚合物中。复合电介质材料由于采用了Cu@SiO2核壳微粒,其在Cu纳米微粒表面包覆有一层绝缘性能良好的SiO2微粒层,因而在增加Cu纳米微粒分散性的同时,可以有效地阻止Cu纳米微粒之间导电通路的形成。因此,当在聚合物基体中的填充量较高时,既可以获得较高的介电常数,又可以保持较低的漏电流。同时,本发明公开的制备方法简单,原料成本低,可实现规模化生产。

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