专利详情

专利名称	倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
申请号	CN201110206340.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102243994A	公开（授权）日	2011.11.16
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
主分类号	H01L21/205(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法至倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽，刻蚀深度等于二氧化硅层的厚度；步骤3：以硅烷为原料采用VPE法刻蚀在沟槽内的硅衬底上形成倒V形的硅缓冲层；步骤4：分别用piranha、SC2、HF和去离子水，清洗沟槽底部的硅缓冲层；步骤5：采用低压MOCVD的方法，先在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤6：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。