专利详情

专利名称	一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法
申请号	CN201110198260.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102243993A	公开（授权）日	2011.11.16
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	何巍;陆书龙;董建荣;杨辉
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法至一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体制作技术领域，特别涉及一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法。这种生长GaInP化合物半导体的方法步骤包括：选取Ge衬底置于无残余Ga和In的反应腔室中，然后向反应腔室中通入P2，并加热Ge衬底至600-700℃，使其表面覆盖一层P原子，最后将Ge衬底降温至生长温度，同时向反应腔室中通入Ga和In，生长GaInP化合物半导体。本发明的有益效果是：在高温下通入P2不存在原子堆积现象，不改变Ge衬底表面的台阶分布，有利于抑制反相筹等缺陷的产生。另一方面控制生长过程在较低温度下进行，避免原子在异质界面间的互扩散，得到高质量的Ge/GaInP异质结结构半导体。