专利详情

专利名称	内插式超导接头电阻测量装置
申请号	CN201110091910.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102243273A	公开（授权）日	2011.11.16
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	陈顺中;王秋良;程军胜
主分类号	G01R27/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01R27/02(2006.01)I;G01R33/07(2006.01)I;H01F6/00(2006.01)I;H01F36/00(2006.01)I
专利有效期	内插式超导接头电阻测量装置至内插式超导接头电阻测量装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种内插式超导接头电阻测量装置，包括罐内样品室和罐外操作区两部分。罐内样品室由超导互感器(1)、磁场测量座(2)、背场超导磁体(4)组成。测量时，超导接头(12)置于背景超导磁体(4)的内孔中，由背景超导磁体(4)产生背景磁场；超导接头样品的单匝感应环(13)套扎在超导互感器(1)线圈的外层，由超导互感器(1)给超导接头样品中感应出电流；超导接头样品的单匝测量环(14)镶嵌在磁场测量座(2)中间凹槽中，由放置在磁场测量座(2)中心孔内的磁场测量探头测量超导接头单匝测量环(14)中心磁场的大小，计算出超导接头样品中的电流。工作时，罐内样品室完全插入到液氦储藏罐(15)内在液氦中浸泡冷却。