专利详情

专利名称	阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用
申请号	CN201110177712.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102244145A	公开（授权）日	2011.11.16
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所;中轻太阳能电池有限责任公司	发明（设计）人	周春兰;王文静;李涛;宋洋;李友忠;段野;郜志华
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;C23C28/04(2006.01)I
专利有效期	阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用至阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种阻止过镀的双层薄膜，其紧邻硅衬底前表面的一层为氧化硅或氮化硅薄层，在所述的氧化硅或氮化硅薄层上面的一层为含碳的硅氧化合物薄层，所述的含碳的硅氧化合物薄层中碳的原子含量为5-10％，折射系数为1.3-1.4，厚度为20-200nm。所述的双层薄膜制备方法，在清洗后的硅衬底的前表面沉积氧化硅或氮化硅薄层，再在薄层上喷涂或者旋涂聚硅氧烷基电介质溶液，经退火得到所述的双层薄膜。包括所述的双层薄膜的硅太阳能电池，从其太阳光照射面，即前表面起向下排列顺序依次为：双层薄膜、前电极、n+发射极、p型硅区域、局域背电场p+、背电极。