专利详情

专利名称	有机薄膜晶体管及制备方法
申请号	CN02130962.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1409417	公开（授权）日	2003.04.09
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	阎东航;袁剑峰
主分类号	H01L51/20	IPC主分类号	H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40
专利有效期	有机薄膜晶体管及制备方法至有机薄膜晶体管及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种有机薄膜晶体管，包括衬底(1)、在衬底(1) 上形成的栅极(2)，在栅极上面形成栅绝缘层，在绝缘层上形成源电极(5)和漏电极(6)，在源电极(5)及漏电极(6)上形成半导体有源层(7)，绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层(3)和第二绝缘层(4)。本发明在不增加光刻等常规复杂工艺仅增加旋涂或蒸镀第二层绝缘膜和自对准干法刻蚀两步简单工序的情况下，就可以改善载流子的注入特性从而提高OTFT器件的性能，而且还可以阻断栅绝缘膜的漏电流、降低器件的寄生电容。这样，既可以采用高介电材料作为栅绝缘层，增大沟道电容，降低器件的开启电压，同时，降低栅源和栅漏漏电流对器件的不利影响。