专利详情

专利名称	一种氮化氧化膜的制备方法
申请号	CN02147232.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1404113	公开（授权）日	2003.03.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子中心	发明（设计）人	徐秋霞;侯瑞兵;高文方;韩郑生
主分类号	H01L21/316	IPC主分类号	H01L21/316;H01L21/318;H01L21/473
专利有效期	一种氮化氧化膜的制备方法至一种氮化氧化膜的制备方法	法律状态	专利权人的姓名或者名称、地址的变更
说明书摘要	一种氮化氧化膜的制备方法，将氮离子注入到硅衬底中再氧化。步骤为：在完成隔离的硅片上清洗后生长注前氧化膜，然后对有源区进行¹⁴N⁺注入；漂净注前氧化膜；清洗后用HF/IPA/H₂O室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干立即进炉；大流量N₂保护下550℃进舟，慢推，大流量N₂保护；升温至700－900℃，N₂恒温；同一温度下，N₂/O₂＝5∶1气氛氧化，氧化时间1－120分钟；N₂气氛，700－900℃退火，15－60分钟；N₂保护下降温至550℃，再在大流量N₂保护下慢拉出舟；化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅：温度620℃，压力0.2乇，SiH₄200sccm，Ar800sccm。