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一种制备银纳米颗粒及其导电纳米薄膜的方法

  • 申请号:CN201010532873.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
  • 公开(公开)号:CN102463351A
  • 公开(公开)日:2012.05.23
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种制备银纳米颗粒及其导电纳米薄膜的方法
申请号 CN201010532873.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102463351A 公开(授权)日 2012.05.23
申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 龙宇华;吴俊杰;王昊;张小莉;赵宁;徐坚
主分类号 B22F9/24(2006.01)I IPC主分类号 B22F9/24(2006.01)I;C23C24/00(2006.01)I
专利有效期 一种制备银纳米颗粒及其导电纳米薄膜的方法 至一种制备银纳米颗粒及其导电纳米薄膜的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种制备银纳米颗粒及其导电薄膜的方法。本发明所提供的制备银纳米颗粒的方法,包括下述步骤:1)将乙二胺四乙酸钠盐或钾盐的水溶液滴入可溶性银盐水溶液中,直至溶液由浑浊变为澄清,停止滴加,得到乙二胺四乙酸螯合的银盐溶液;2)在搅拌状态下,将还原剂水溶液滴入所述乙二胺四乙酸螯合的银盐溶液中,滴加完毕后继续反应,直至溶液颜色不再变化,即得到银纳米颗粒。将上述方法制备的银纳米颗粒分散于水中,再将分散液涂覆于基底上,干燥,得到银纳米薄膜;将所述银纳米薄膜浸于强电解质溶液中处理至少3秒,取出、干燥,即得到由熔结的银纳米颗粒组成的薄膜,此银纳米薄膜具有优良的导电性能。

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