专利详情

专利名称	以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法
申请号	CN201010157538.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102237269A	公开（授权）日	2011.11.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李永亮;徐秋霞
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法至以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅电极层、AlN势垒层、硅栅层和硬掩膜层；对形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅电极层、AlN势垒层、硅栅层和硬掩膜层的半导体衬底进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶，以硬掩膜为掩蔽，采用干法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀；采用干法刻蚀工艺对AlN势垒层、Mo基金属栅和高K介质进行各向异性刻蚀。利用本发明，通过优化AlN势垒层、Mo基金属栅和高K介质叠层结构的刻蚀工艺不仅得到陡直的刻蚀剖面，而且对Si衬底的损耗很小，为实现高K金属栅的集成提供了必要保证。