专利详情

专利名称	含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法
申请号	CN02129458.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1398004	公开（授权）日	2003.02.19
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	阎东航;王军;张坚
主分类号	H01L29/772	IPC主分类号	H01L29/772;H01L21/335;H01L51/00
专利有效期	含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法至含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种含有有机半导体的夹心型场效应晶体管，包括衬底(1)，在衬底(1)上形成栅电极(2)，栅绝缘层(3)形成在衬底(1)和栅电极(2)上，其特征在于有源层(4)形成在栅绝缘层(3)上，并露出部分绝缘层(3)，源/漏电级(5)形成在部分有源层(4)和部分栅绝缘层(3)上，有源层(6)形成在露出的栅绝缘层(3)、有源层(4)、源电极和漏电极栅(5)上。本发明充分发挥有机半导体低温加工的优点，采用两种或两种以上材料共同构成有源半导体层，增强有源层与源和漏电极有效接触，降低器件的阈值电压，并且半导体和源漏电极能够与绝缘层牢固连接。