专利详情

专利名称	异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
申请号	CN02112412.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1396642	公开（授权）日	2003.02.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	齐鸣;李爱珍;赵智彪
主分类号	H01L21/66	IPC主分类号	H01L21/66
专利有效期	异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法至异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度的测定方法，特征在于用光辅助湿法刻蚀结合原子力显微镜对刻蚀的表面位错腐蚀坑密度统计，测出GaN外延层的位错密度；其具体测定步骤是：(1)先按照异丙醇、丙酮、乙醇的顺序对GaN样品进行化学清洗清洗后用大量去离子水洗净，用高纯N₂吹干；(2)将样品用石蜡或夹子固定在载玻片上，放入盛有1－10M KOH溶液中，采用磁子搅拌，在Cd－He激光器提供的激光照射下，进行湿法刻蚀，时间为5－10分钟；(3)取出刻蚀样片，用去离子水清洗，高纯N₂吹干，然后用原子力显微镜，进行刻蚀表面的位错腐蚀坑统计，估算出GaN外延层的位错密度。本发明提供的位错密度测定方法可靠、有效，与其它方法，如XRD位错密度估算方法相比，一致性好。