专利详情

专利名称	一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法
申请号	CN02110920.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1383189	公开（授权）日	2002.12.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈猛;王湘;王曦;陈静;林梓鑫
主分类号	H01L21/108	IPC主分类号	H01L21/108
专利有效期	一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法至一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
说明书摘要	本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法,其特征在于,(1)再在30－210keV能量下氧离子, 注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择,使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低;(2)注入完成后, 退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30 分钟,1000℃保持1小时,在1300～1350℃经过5～10小时保温;(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min,1200～ 1000℃为20℃/min,1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量配匹关系为D=(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35),用本发明提供的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针空密度小,从而提高了低剂量SIMOX材料质量和产量。