专利详情

专利名称	发光二极管封装结构
申请号	CN201110198226.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102255034A	公开（授权）日	2011.11.23
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨华;卢鹏志;谢海忠;于飞;郑怀文;薛斌;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽
主分类号	H01L33/48(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I
专利有效期	发光二极管封装结构至发光二极管封装结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底的两侧开有通孔，并填充有导电金属；一n型层制作在绝缘衬底上，其上开有一孔，并填充有导电金属；一有源层制作在n型层上；一p型层制作在有源层上；一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面；一p电极覆盖隔离层，并覆盖部分p型层的上表面；一n电极制作在n型层上面的一侧，与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧，该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接；一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧，该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接；前述各部分形成器件的基底；一光学元件封装于基底上，完成器件的制作。