专利详情

专利名称	基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
申请号	CN201110192523.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102254821A	公开（授权）日	2011.11.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;徐大伟;王中健;夏超;曹铎;宋朝瑞;俞跃辉
主分类号	H01L21/334(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/334(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I
专利有效期	基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法至基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质层以形成多个分别堆叠于各该硅岛上的高k栅介质岛，然后在该硅岛及高k栅介质岛上沉积电极薄膜层；最后刻蚀该电极薄膜层，以形成多个上电极及下电极，且使上电极分别堆叠于各该高k栅介质岛上、下电极形成于硅岛的表面上，以便在SOI材料上验证高k栅介质电学特性时，测量上、下电极的电容-电压特性可以不用考虑由于隐埋氧化层的存在而引起的附加电容，进而快速准确的对SOI衬底上高K栅介质进行研究。