专利详情

专利名称	深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器
申请号	CN02111212.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1376925	公开（授权）日	2002.10.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;宋朝辉;王跃林
主分类号	G01P15/08	IPC主分类号	G01P15/08;H01L49/00
专利有效期	深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器至深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器及制造方法。属于硅微机械传感器技术领域。其特征在于为实现电阻间的电绝缘,还采用了在 DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。这种制作方法可以实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁上最大应力的检测从而实现较高灵敏度。同时还克服了(1)采用硅片倾斜方向离子注入的繁琐和不适合批量制造;(2)为实施倾斜离子注入预留的过宽沟槽从而影响敏感梁接触过载保护性能二个缺点。具有制造工艺简单、构思巧妙并适合批量生产各种量程的加速度传感器,同时可以应用到多种压阻惯性传感器技术中,具有广泛的应用前景。