
一种制备稀土贮存式氧化物阴极的方法
- 申请号:CN201010183434.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号:CN102254766A
- 公开(公开)日:2011.11.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种制备稀土贮存式氧化物阴极的方法 | ||
申请号 | CN201010183434.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102254766A | 公开(授权)日 | 2011.11.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明(设计)人 | 王小霞;王其富;赵青兰;廖显恒;李云 |
主分类号 | H01J9/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/04(2006.01)I |
专利有效期 | 一种制备稀土贮存式氧化物阴极的方法 至一种制备稀土贮存式氧化物阴极的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种制备稀土贮存式氧化物阴极的方法,涉及电真空技术,其步骤为:将BaCO3、CaCO3、Al2O3按克分子比5∶(1~3)∶2球磨混合100小时后压制成块状,然后在CO2气氛中1150±50℃保温3~5小时合成主要相为Ba5CaAl4O12的铝酸盐,将合成铝酸盐与Ti粉、Re粉、W粉分别按铝酸盐重量百分比的(5~10)%、(10~15)%、(5~10)%混合,在玛瑙钵中研磨2小时后填入阴极贮存小室中,戴上Ni网帽焊接,在Ni网帽孔中填满三元碳酸盐,然后在Ni网帽表面喷涂一层含Sc四元碳酸盐,制备得到稀土贮存式氧化物阴极。本发明提高了氧化物阴极的发射电流密度,延长了阴极寿命。 |
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