专利详情

专利名称	红外焦平面阵列器件及其制作方法
申请号	CN201010267982.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102384789A	公开（授权）日	2012.03.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	欧文;刘战峰;陈大鹏
主分类号	G01J5/10(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/10(2006.01)I
专利有效期	红外焦平面阵列器件及其制作方法至红外焦平面阵列器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种红外焦平面阵列器件，包括：衬底；空腔，位于所述衬底内；红外敏感层，悬空于所述空腔的上方；反射层，设置于所述空腔的底部，与所述红外敏感层相对；悬臂梁，悬空于所述衬底上方，一端与衬底固定连接，另一端与红外敏感层固定连接。所述空腔周围的衬底为用于散热的热沉，所述悬臂梁与衬底连接的一端即连接在所述热沉上。相应的，本发明还提供所述红外焦平面阵列器件的制作方法。所述红外焦平面阵列器件，采用反射层、红外敏感层以及他们之间的空腔所组成的共振吸收结构来提高探测单元对红外线的吸收效率，这种共振吸收结构的制作完全与常规IC工艺兼容。