专利详情

专利名称	制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法
申请号	CN201110215676.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102386123A	公开（授权）日	2012.03.21
申请（专利权）人	上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	魏星;张鹏;曹共柏
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法至制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键合在一起：采用选择性腐蚀工艺腐蚀外延衬底至器件层与外延衬底的界面处。本发明的优点在于，外延的器件层边缘区域比中心区域厚，这正好抵消了自掺杂效应对自停止腐蚀工艺的影响，从而获得了具有均匀厚度的器件层。