专利详情

专利名称	植入式光电极采集调控装置
申请号	CN201110234806.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102380170A	公开（授权）日	2012.03.21
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	鲁艺;王立平;李艳玲;蔚鹏飞;刘楠
主分类号	A61N5/067(2006.01)I	IPC主分类号	A61N5/067(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I;A61B5/00(2006.01)I
专利有效期	植入式光电极采集调控装置至植入式光电极采集调控装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种植入式光电极采集调控装置，包括中央处理单元、位移调节单元及光电极采集调控单元；中央处理单元用于控制位移调节单元及光电极采集调控单元；位移调节单元用于调节光电极采集调控单元的植入深度；光电极采集调控单元用于对植入部位进行光调控及生理信号的采集，并将采集的生理信号反馈至中央处理单元。该植入式光电极采集调控装置将电极单元与光纤单元结合在一起构成光电极阵列，并且利用位移调节单元分别对电极单元和光纤单元进行操控，根据生物体内环境，调节二者植入的深度及位置，灵活度高，可以实现对植入部位更加精确、有效、高空间分辨率和长期的光调控和电生理记录，满足对神经系统和精神疾病的研究和治疗的要求。