专利详情

专利名称	半导体器件及其局部互连结构的制造方法
申请号	CN201010259626.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102376630A	公开（授权）日	2012.03.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	钟汇才;梁擎擎
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其局部互连结构的制造方法至半导体器件及其局部互连结构的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种半导体器件局部互连结构的制造方法，通过在半导体衬底上栅极两侧的侧墙与外侧墙之间形成可去除的牺牲侧墙，去除牺牲侧墙后在栅极同一侧的侧墙和外侧墙之间即形成局部互连结构中源/漏区域的接触通孔。在源/漏通孔中填充导电材料形成插塞后，插塞的高度就能与栅极的高度相等。这样，局部互连结构中后续的第一层金属布线与下层的源/漏区域或栅极区域之间进行电学连接的接触通孔就可以等深，如此避免了在半导体器件不同区域的接触通孔的形成过程中发生接触通孔过刻蚀或刻蚀不足的现象，同时还能改善接触通孔的填充效果。相应地，本发明还提供一种具有根据上述制造方法形成的半导体器件局部互连结构的半导体器件。