专利详情

专利名称	一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法
申请号	CN201010251514.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102376715A	公开（授权）日	2012.03.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍宗亮;刘明
主分类号	H01L27/108(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/108(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I
专利有效期	一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法至一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法。无电容动态随机访问存储器结构在满足高碰撞电离率所要求的高漏压的前提下，通过对源漏结区附近采用不同的栅介质材料或者栅介质厚度增大了该区域的栅介质的电学厚度，从而有效降低了垂直方向的电场，同时通过在沟道中央区域的薄的氧化层或者采用高K材料，从而提高了栅控能力并抑制了短沟道效应。该发明结构能够有效抑制栅介质退化、提高存储单元的可靠性(耐久性)、有利于器件的按比例缩小，同时该无电容结构完全避免了常规1T1C结构中的电容结构的复杂工艺。其采用的制造工艺与常规的逻辑工艺完全兼容，也有利于高密度三维的工艺集成。