专利详情

专利名称	半导体器件结构的制造方法及其结构
申请号	CN201010258369.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102376551A	公开（授权）日	2012.03.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	钟汇才;梁擎擎
主分类号	H01L21/265(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	半导体器件结构的制造方法及其结构至半导体器件结构的制造方法及其结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出一种半导体器件结构的制造方法及其结构，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；嵌入所述第一绝缘层和半导体衬底形成浅沟槽隔离；嵌入所述半导体衬底形成沟道区；形成所述沟道区上的栅堆叠线；其中，在形成所述沟道区之前，所述方法进一步包括：对所述半导体衬底进行源/漏区注入。该方法通过在沟道区和栅堆叠形成之前以自对准的方式形成源/漏区，以实现不必借助牺牲栅而达到替代栅工艺的有益效果，有利于简化工艺、降低成本。