专利详情

专利名称	提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用
申请号	CN201110064346.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102255024A	公开（授权）日	2011.11.23
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	王敏锐;方运;张宝顺;杨辉
主分类号	H01L33/20(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I
专利有效期	提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用至提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用。该微纳米结构由阵列排布的多个多边形图形单元组成，每一图形单元包括多条彼此孤立的条状微纳米凸起脊，每一凸起脊对应于多边形的一边，且相邻凸起脊之间由平面结构连接；该凸起脊的两端面为曲面，其纵向截面为曲边形结构，该曲边形包括于垂直方向上分布的顶点和底边，该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。该微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在条状凸起脊的顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命，同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率。