宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜及其制备方法
- 申请号:CN201110094310.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN102250377A
- 公开(公开)日:2011.11.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜及其制备方法 | ||
申请号 | CN201110094310.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102250377A | 公开(授权)日 | 2011.11.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 高雪峰;金鑫;李娟;朱杰;陈周群;周传强 |
主分类号 | C08J9/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C08J9/26(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;B29D7/01(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
专利有效期 | 宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜及其制备方法 至宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明揭示了一种宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜及其制备方法。该高分子膜的构筑单元为三维渐变纳米突起阵列和/或孔道阵列结构,该三维渐变纳米突起阵列和/或孔道结构是分别由复数个尺寸均匀,中轴线与基面垂直,轮廓连续或非连续变化,尺寸从上至下逐渐变大或变小,且呈有序二维排列组合的纳米突起、孔道组成;其折射率从基底折射率到空气折射率渐变。该制备方法的特点在于,基于三维渐变体阵列结构的模板在高分子基材表面直接压印成形。本发明的高分子膜具有优越宽光谱广角抗反射性能,在平板显示器件、光电器件、光学元件、太阳能电池等领域具有广阔应用前景,且其制备工艺简单易操作效率高、适用范围广、成本低,具有工业化生产潜力。 |
交易流程
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