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纳米级二维多孔金属膜的制备方法

  • 申请号:CN201110170789.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 公开(公开)号:CN102247769A
  • 公开(公开)日:2011.11.23
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 纳米级二维多孔金属膜的制备方法
申请号 CN201110170789.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102247769A 公开(授权)日 2011.11.23
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 吕志成;周明
主分类号 B01D71/02(2006.01)I IPC主分类号 B01D71/02(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I
专利有效期 纳米级二维多孔金属膜的制备方法 至纳米级二维多孔金属膜的制备方法 法律状态 授权
说明书摘要 本发明公开了一种纳米级二维多孔金属膜的制备方法。该方法为:首先以聚电解质在表面呈亲水性的基片上组装形成至少最外层具有正电荷的聚电解质膜层;其后以非交联高聚物的胶体粒子在该聚电解质膜层上形成单层球形粒子模板;而后在该球形粒子模板中自组装催化纳米粒子,并采用无电沉积方式在催化纳米粒子上形成金属膜;最后将球形粒子模板去除,制得目标产物。本发明具有操作简单、成本低廉,可控性强等特点,适于在气体传感、表面等离子体生物传感器、表面增强光谱等领域广泛应用。

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