无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法
- 申请号:CN201110200888.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
- 公开(公开)号:CN102254998A
- 公开(公开)日:2011.11.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法 | ||
申请号 | CN201110200888.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102254998A | 公开(授权)日 | 2011.11.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明(设计)人 | 刘壮;卢兰兰;贺凡;肖旭东 |
主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
专利有效期 | 无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法 至无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法,包括如下步骤:步骤一、在衬底上依次形成背电极和铜铟镓硒光吸收层,形成样片;步骤二、在所述样片表面溅镀氧化锌薄膜;步骤三、将所述样片放入硒化室内在硫化氢的气氛下进行退火处理,将所述氧化锌薄膜转化为硫化锌缓冲层薄膜;及步骤四、在所述硫化锌缓冲层薄膜上依次形成阻挡层及窗口层,得到所述无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件。上述制备方法在退火过程中由于温度较高,因此能够提高薄膜的结晶质量。本发明还提供一种硫化锌缓冲层薄膜的制备方法。 |
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