专利详情

专利名称	一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法
申请号	CN201010183450.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102254805A	公开（授权）日	2011.11.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;许高博
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法至一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法，利用物理汽相淀积方法在高K介质上面淀积一层金属氮化物膜或金属膜，作为金属栅电极，然后采用离子注入方法往金属栅电极中注入Tb或Er或Yb或Sr等元素，通过高温热退火将掺杂金属离子驱进到金属栅电极与高K栅介质的界面上形成堆积或者通过界面反应在高K栅介质与SiO2的界面上形成偶极子，达到调节金属栅有效功函数的目的。此方法具有普适性，工艺简单方便，调节金属栅功函数的能力强，与CMOS工艺兼容性很好。