专利详情

专利名称	一种太阳能电池AZO减反射膜制备方法
申请号	CN201110240066.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102254799A	公开（授权）日	2011.11.23
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	刁宏伟;王文静;赵蕾;周春兰;李海玲;陈静伟;闫宝军
主分类号	H01L21/203(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/203(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种太阳能电池AZO减反射膜制备方法至一种太阳能电池AZO减反射膜制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种太阳电池AZO减反射膜制备方法，其工艺步骤如下：①将基片装载在射频磁控溅射设备的小车上；②抽真空，使射频磁控溅射设备腔体真空度达到1x10-4Pa；③开启加热电源，给基片加热，加热温度范围为150～200℃；④当基片达到所需温度后，通入Ar和H2混合气体，Ar∶H2质量流量比为60∶1～100∶1；⑤开启射频电源，并调整电源功率至0.5W/cm2～1.5W/cm2；⑥将射频磁控溅射设备腔体压力调到0.3～0.35Pa；⑦使小车开始行走；控制制备时间为35～40分钟；然后关闭射频电源、气体和加热电源，并排除残余气体。本发明所制备的AZO减反膜具有金字塔形貌，平均电阻率为1.7x10-4Ω·cm；在可见光范围内AZO减反膜平均透过率大于90％；AZO减反膜绒度为9.1％～12.2％；AZO减反膜表面粗糙度小于25nm。