专利详情

专利名称	一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法
申请号	CN02116458.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1372336	公开（授权）日	2002.10.02
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	阎东航;袁剑峰
主分类号	H01L51/20	IPC主分类号	H01L51/20;H01L51/40
专利有效期	一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法至一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法,含有遮光层的顶电极构型器件其源漏电极置于有机半导体层之上,其中,栅极在基板上,绝缘层在栅极和基板上,有机半导体层在绝缘层上,低介电有机光刻胶岛在有机层上,源极和漏极在绝缘层和有机半导体层上,遮光层在光刻胶岛上;在基板上溅射一层金属并光刻成栅电极;真空热蒸发有机半导体材料作为有源层并光刻,采用干法RIE反应离子刻蚀成型;涂光刻胶, 以栅极为掩模用紫外光源从背面曝光;显影,真空热蒸发一层金属形成源、漏电极,并在沟道上方同时形成遮光层。引进自对准技术和剥离技术于有机晶体管的制造工艺中,使得器件的栅源、栅漏交叠面积几乎为零,从而大大降低器件的栅源、栅漏寄生电容。