专利详情

专利名称	用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法
申请号	CN200910201331.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102104048A	公开（授权）日	2011.06.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;罗杰馨;伍青青;宁冰旭;薛忠营;肖德元;王曦
主分类号	H01L27/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法至用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法。所述ESD保护结构包括直接连接SOI衬底体区的外延硅层；外延硅层的两侧为侧氧隔离墙，所述侧氧隔离墙用以划分ESD保护结构与本征有源结构；外延硅层的顶部左右两端分别为ESD保护结构的源漏区；外延硅层的顶部中心位置处向上生长有ESD保护结构的多晶硅栅；ESD保护结构的多晶硅栅与外延硅层之间夹有ESD保护结构的二氧化硅栅介质；ESD保护结构的多晶硅栅与ESD保护结构的二氧化硅栅介质的两侧设有侧氧隔离墙。本发明使泄露电流能够下沉至SOI衬底，且通过外延工艺使得ESD保护结构与有源区本征MOS管处于同一平面，这样便于后续工艺的处理。