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有机场效应晶体管阈值电压的调制方法

  • 申请号:CN200910311849.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102104113A
  • 公开(公开)日:2011.06.22
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 有机场效应晶体管阈值电压的调制方法
申请号 CN200910311849.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102104113A 公开(授权)日 2011.06.22
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 商立伟;刘明;姬濯宇
主分类号 H01L51/40(2006.01)I IPC主分类号 H01L51/40(2006.01)I
专利有效期 有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 至有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种有机场效应晶体管阈值电压的调制方法,该方法包括:提供有机场效应晶体管;根据所需阈值电压利用光源辐照有机场效应晶体管的有机半导体层;对有机场效应晶体管施加电压脉冲;经过预定时间后先后或同时撤销电压脉冲与光源。通过本发明的上述技术方案,解决了目前的有机半导体场效应管的调制方法复杂,自由度低的问题,并且调制后有机场效应晶体管的阈值电压可以保持较长时间,该方法自由度大,易于调整有机场效应晶体管。

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