有机场效应晶体管阈值电压的调制方法
- 申请号:CN200910311849.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102104113A
- 公开(公开)日:2011.06.22
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 | ||
申请号 | CN200910311849.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102104113A | 公开(授权)日 | 2011.06.22 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 商立伟;刘明;姬濯宇 |
主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
专利有效期 | 有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 至有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供了一种有机场效应晶体管阈值电压的调制方法,该方法包括:提供有机场效应晶体管;根据所需阈值电压利用光源辐照有机场效应晶体管的有机半导体层;对有机场效应晶体管施加电压脉冲;经过预定时间后先后或同时撤销电压脉冲与光源。通过本发明的上述技术方案,解决了目前的有机半导体场效应管的调制方法复杂,自由度低的问题,并且调制后有机场效应晶体管的阈值电压可以保持较长时间,该方法自由度大,易于调整有机场效应晶体管。 |
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