专利详情

专利名称	一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法
申请号	CN201010145211.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102214573A	公开（授权）日	2011.10.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐静波;张海英
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I
专利有效期	一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法至一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，包括：步骤1：在衬底背面制作背栅电极；步骤2：在衬底正面生长氧化介质；步骤3：在生长的氧化介质上制作底层电极；步骤4：超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面；步骤5：将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；步骤6：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；步骤7：在源漏电极间施加直流电压并监测电流；步骤8：将背栅电极外接至RF激励信号源。利用本发明，调节RF激励信号频率接近一维压电纳米线固有频率，使得一维压电纳米线发生共振，导致周期性振荡形变，将激励信号能量转换为一维压电纳米线的能量，达到制作纳米线共振压电场效应晶体管的目的。