70纳米器件工艺剖面结构的实现方法
- 申请号：CN00135748.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子中心
- 公开(公开)号：CN1360342
- 公开(公开)日：2002.07.24
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 | ||
| 申请号 | CN00135748.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1360342 | 公开（授权）日 | 2002.07.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤 |
| 主分类号 | H01L21/306 | IPC主分类号 | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 专利有效期 | 70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 至70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种70纳米器件工艺剖面结构的实现方法,其主 要步骤如下:步骤1:横向限定的超陡的倒掺杂纵向沟道剖面的 实现;步骤2:沟道区注氮后栅氧化;步骤3:横向沟道剖面控制的 实现;本发明具有不需大型的专用设备、成本低、环境污染小和 工艺简单的优点。 | ||
交易流程
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