专利详情

专利名称	锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法
申请号	CN00135751.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1360343	公开（授权）日	2002.07.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子中心	发明（设计）人	徐秋霞;殷华湘;钱鹤
主分类号	H01L21/336	IPC主分类号	H01L21/336;H01L21/26;H01L21/324
专利有效期	锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法至锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法	法律状态	专利权人的姓名或者名称、地址的变更
说明书摘要	一种锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法,在硅表面上用元素锗的预无定形注入,进行快速热退火,形成超浅的PN结与NP结,消除注入损伤带来的结漏电,步骤为:(1)在原始硅片上形成低掺杂的阱;(2)一次光刻,局部场氧化隔离,形成有源区;(3)锗重离子预无定形注入;(4)通过两次光刻分别进行二氟化硼和砷的低能注入各形成PN结与NP 结;(5)低温侧墙氧化淀积,光刻和RIE刻蚀深源漏区;(6)深源漏区注入;(7)快速热退火。