70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
- 申请号：CN00135749.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子中心
- 公开(公开)号：CN1360088
- 公开(公开)日：2002.07.24
- 法律状态：专利申请权、专利权的转移
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专利详情
| 专利名称 | 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法 | ||
| 申请号 | CN00135749.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1360088 | 公开（授权）日 | 2002.07.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤;于雄飞;赵玉印 |
| 主分类号 | C23F1/02 | IPC主分类号 | C23F1/02;C23F1/24;H01L21/306 |
| 专利有效期 | 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法 至70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 |
| 说明书摘要 | 一种70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀 方法,本方法包括:步骤一:采用为氟化处理技术;步骤二:采用为 70纳米电子束胶图形的转移技术;其在现有设备的基础上实现 超微细加工,同时具有成本低和工艺简单的优点,实现了高保真 度的图形转移,并具有较强的抗腐蚀能力。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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