专利详情

专利名称	一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法
申请号	CN01139288.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1359158	公开（授权）日	2002.07.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	安正华;张苗;林成鲁;刘卫丽;沈勤我
主分类号	H01L27/12	IPC主分类号	H01L27/12;H01L21/84;H01L21/02;H01L21/20
专利有效期	一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法至一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
说明书摘要	本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/SiGe/SiO₂/Si或SiGe/SiO₂/Si的SiGe－OI结构,前者Ge组分恒定,一般小于30％；后者由递变Ge组分的SiGe缓冲层和Ge组分固定的SiGe层组成一种以外延和离子注入和键合技术,并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转,从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层SiGe薄层,注入H⁺离子或He⁺离子,注入能量为10keV～1MeV,剂量为10¹⁶～10¹⁷/cm²,形成气泡空腔层,利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合,在300～600℃下热处理,是键合片从气泡层处裂开,最后在800～1000℃、N₂或Ar气氛中退火,加强键合,具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点,且与常规硅集成电路工艺兼容。