树枝状基团修饰的具有D-π-A结构的有机二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途
- 申请号:CN200910080594.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN101845040A
- 公开(公开)日:2010.09.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 树枝状基团修饰的具有D-π-A结构的有机二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途 | ||
申请号 | CN200910080594.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101845040A | 公开(授权)日 | 2010.09.29 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 甄珍;冯姝雯;刘家磊;侯文军;邱玲;刘新厚 |
主分类号 | C07D409/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D409/06(2006.01)I;C07F7/18(2006.01)I;C08L69/00(2006.01)I;C08L33/12(2006.01)I;C08K5/45(2006.01)I;C08K5/548(2006.01)I;G02F1/361(2006.01)I |
专利有效期 | 树枝状基团修饰的具有D-π-A结构的有机二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途 至树枝状基团修饰的具有D-π-A结构的有机二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及树枝状基团修饰的具有D-π-A结构的有机二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途。本发明的发色团引入了电子传输能力较强的带有支链的噻吩环共轭π电子桥以及具有强吸电子能力的三氰基吡咯啉受体,且受体端引入树枝状修饰基团,使发色团分子的一阶分子超极化率大大提高,发色团在聚合物中的溶解性和成膜性得到改善,分子间相互作用力减小。下述结构的本发明的有机二阶非线性光学发色团与无定型聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯等聚合物按质量比为1∶10掺杂,得到的极化聚合物材料的电光系数能够达到217pm/V。另外,本发明的发色团给体及受体端均可引入可交联型基团,从而可提高发色团在聚合物中的取向稳定性,满足器件化要求。 |
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