专利详情

专利名称	含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池
申请号	CN201310031285.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103094378A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨静;赵德刚;李亮;吴亮亮;乐伶聪;李晓静;何晓光
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/06(2012.01)I
专利有效期	含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池至含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。