专利详情

专利名称	单芯片三轴磁场传感器及制备方法
申请号	CN201310032909.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103105592A	公开（授权）日	2013.05.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴亚明;龙亮
主分类号	G01R33/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01R33/02(2006.01)I;G01R3/00(2006.01)I
专利有效期	单芯片三轴磁场传感器及制备方法至单芯片三轴磁场传感器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种单芯片三轴磁场传感器及制备方法。所述单芯片三轴磁场传感器至少包括：第一基底；形成于第一基底表面的至少两个第一电极及至少四个第二电极；与所述第一基底键合的第二基底，其具有与两个第一电极分别形成电容结构的单轴扭转结构、以及与至少四个第二电极分别形成电容结构的双轴扭转结构；形成于所述单轴扭转结构表面、且能在第一方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第一磁性薄膜结构；以及形成于所述双轴扭转结构表面、且能在第二及第三方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第二磁性薄膜结构。本发明的三轴磁场传感器具有灵敏度高、尺寸小、功耗低、低成本、封装简单等优点。