一种原子层沉积设备
- 申请号：CN201210477229.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103103497A
- 公开(公开)日：2013.05.15
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种原子层沉积设备 | ||
| 申请号 | CN201210477229.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103103497A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董亚斌;夏洋;李超波;张阳 |
| 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种原子层沉积设备 至一种原子层沉积设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及微电子器件制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括腔室和直流电源，所述腔室内设有加热盘及设置在所述加热盘上的匀热盘，所述匀热盘上设有绝缘导热层，所述绝缘导热层上设有导电盘，所述导电盘通过电线与所述直流电源的正极连接。本发明是在薄膜的表面垂直的方向上加上一直流电压，由于电场的方向与薄膜形成势的方向相反，抑制薄膜表面的成核形成能，阻止了薄膜原子在整个ALD过程中在表面的移动成核，从而实现二维薄膜的生长。 | ||
交易流程
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