一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法
- 申请号：CN201310068781.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103107096A
- 公开(公开)日：2013.05.15
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 | ||
| 申请号 | CN201310068781.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103107096A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 至一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，更换衬底舟和反应室内管，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层以及砷化镓基nMOS结构；步骤5：制作栅氧化物、源极、栅极和漏极，完成硅基III-V族nMOS器件的制备。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言