专利详情

专利名称	一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法
申请号	CN201310028147.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103101876A	公开（授权）日	2013.05.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李铁;俞骁;王跃林
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法至一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，先在硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；然后将刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；进行各向异性湿法腐蚀使3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部、下锥部及连接部组成的沙漏结构；进行热氧化，使所述连接部完全氧化，且使所述下锥部表面氧化以于所述下锥部内部形成硅锥体结构；去除所述连接部的氧化硅以使所述上锥部和下锥部分离，同时去除所述下锥部表面的氧化硅，形成硅锥体结构。本发明只需要常规的MEMS工艺，通过ICP干法刻蚀、各向异性湿法腐蚀和氧化工艺即可制作出顶端直径为10~100纳米，集成度高，可规模化生产的硅锥体结构，其成本低廉，制作方便，在纳米探针领域具有应用前景。