专利详情

专利名称	硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法
申请号	CN201310012197.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103094415A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所	发明（设计）人	刘静;伊福廷
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法至硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法，该方法包括：在硅片表面生长一层氯化铯薄膜；将表面具有氯化铯薄膜的硅片放入一定湿度的通气腔体内显影，在硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构；对表面具有氯化铯纳米圆岛结构的硅片进行等离子体刻蚀，将获得的氯化铯纳米圆岛结构转移成硅纳米柱状结构；采用热扩散的方法对硅纳米柱状结构进行三氯氧磷扩散，并控制扩散深度，形成体向或径向P-N结结构。利用本发明，具有低成本和较强的工艺适应性能，能够在不同硅表面上生长和完成。该纳米织构化P-N结结构可以有效地减小来自各个角度的入射光的反射，增加对入射光的吸收，提高太阳电池的光电转换效率。