专利详情

专利名称	基于可伸缩腔室的原子层沉积设备及其使用方法
申请号	CN201110309555.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103046022A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	基于可伸缩腔室的原子层沉积设备及其使用方法至基于可伸缩腔室的原子层沉积设备及其使用方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种基于可伸缩腔室的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；沉积室包括第一容积和第二容积；当沉积室在通气状态时，沉积室的容积为第一容积，当通气结束后，沉积室的容积为第二容积；第一容积大于第二容积。本发明还提供一种基于可伸缩腔室的原子层沉积设备的使用方法。本发明通过采用可伸缩腔室结构，提高了原子层沉积设备的化学试剂的利用率，减少清理气体停留时间和化学试剂的去除时间，进而降低沉积反应周期时间，在短时间内加工出所需厚度的膜层，提高了设备的寿命，且能够降低尾气处理的难度。