专利详情

专利名称	基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备
申请号	CN201110309540.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103046028A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉
主分类号	C23C16/52(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备至基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备，包括沉积腔室、等离子气体产生系统、射频电源匹配器及射频电源、温度采集电路、PID控制电路、加热及散热装置；所述温度采集电路采集所述沉积腔室的温度；所述PID控制电路接收所述温度采集电路采集的温度，控制所述加热及散热装置对所述沉积腔室加热或散热。本发明提供的基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备，能使沉积腔室中的基片保持在设定的温度范围内，且能够快速的达到预设的温度值。