专利详情

专利名称	曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法
申请号	CN01126836.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1337581	公开（授权）日	2002.02.27
申请（专利权）人	中国科学院上海冶金研究所	发明（设计）人	李昕欣;董健;王跃林
主分类号	G01P15/02	IPC主分类号	G01P15/02
专利有效期	曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法至曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及一种曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法,属于硅微机械传感器技术领域。其结构特征在于悬臂梁的过载保护是采用位于悬臂梁两侧的二个曲面,该曲面是按悬臂梁的挠曲函数设计的,整个硅微加速度传感器为单片硅的整体式结构,无需另外封接过载保护盖板。本传感器在制作方面的特征是利用N掺杂(100)硅片微机械加工技术,用深反应离子刻蚀加工横向悬臂梁的同时,在其二侧加工出与挠曲函数表达的梁挠曲相同的过载保护曲面。本发明特点是结构简单、构思巧妙,传感器体积小,制作方便,可适合高量程(1万—10万g)的加速度传感器,具有广阔的应用前景。