专利详情

专利名称	一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法
申请号	CN201110324618.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103066040A	公开（授权）日	2013.04.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	汤佳杰;罗乐;丁晓云;徐高卫;陈骁
主分类号	H01L23/48(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法至一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏蔽层，接地TSV和TSV芯之间的硅片正反两面均使用填充有低介电常数聚合物的隔离槽；接地通孔的数量、尺寸和距离根据实际的应用频段通过仿真确定，以此结构实现微波频段硅片两面互连。使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。